Заказать
курсач за 10 грн. ДИСК 1-6 семестр 250 грн ДОБАВЬ СВОЕ ФОТО регистрация KIS-Plus вход в KIS PLUS новости |
Університет інформаційно - комунікаційних технологій курсовой по связи, модуль , комплексное по связи, контрольная по связи, дипломный проэкт по телекомуникации, Курсовой проэкт, телекоммуникация и связь, Киевский Институт Связи, Государственный университет информационно-коммуникационных технологий, ГУИКТ, ДУІКТ, Связь, Zosik, KIS-kiev.narod.ru |
Рассмотрим полевой транзистор со структурой МДП, схема которого приведена на
рисунке 6.2. Координата z направлена вглубь полупроводника, y - вдоль по длине
канала и х - по ширине канала. Получим вольт-амперную характеристику такого
транзистора при сле-дующих предположениях: 1. Токи через р-n переходы истока,
стока и подзатворный диэлектрик равны нулю. 2. Подвижность электронов ?n постоянна
по глубине и длине L инверси-онного канала и не зависит от напряжения на затворе
VGS и на стоке VDS. 3. Канал плавный, то есть в области канала нормальная составляющая
электрического поля Еz существенно больше тангенциальной Еy. Рис. 6.2. Схема
МДП-транзистора Ток в канале МДП-транзистора, изготовленного на подложке р-типа,
обусловлен свободными электронами, концентрация которых n(z). Электри-ческое
поле Еу обусловлено напряжением между истоком и стоком VDS. Со-гласно закону
Ома, плотность тока , (6.1) где q - заряд электрона, ?n - подвижность электронов
в канале, V - падение напряжения от истока до точки канала с координатами (x,
y, z). Проинтегрируем (6.1) по ширине (x) и глубине (z) канала. Тогда интеграл
в левой части (6.1) дает нам полный ток канала IDS, а для правой части полу-чим:
. (6.2) Величина есть полный заряд электронов в канале на единицу площади .
Тогда . (6.3) Найдем величину заряда электронов Qn. Для этого запишем уравнение
электронейтральности для зарядов в МДП-транзисторе на единицу площади в виде:
. (6.4) Согласно (6.4) заряд на металлическом электроде Qm уравновешивается
суммой зарядов свободных электронов Qn и ионизованных акцепторов QB в полупроводнике
и встроенного заряда в окисле Qox.
рисунок - Структура. Полевой транзистор.
|
||||
|
||||
|