Заказать курсач за 10 грн. ДИСК 1-6 семестр 250 грн ДОБАВЬ СВОЕ ФОТО регистрация KIS-Plus вход в KIS PLUS новости

Університет інформаційно - комунікаційних технологій курсовой по связи, модуль , комплексное по связи, контрольная по связи, дипломный проэкт по телекомуникации, Курсовой проэкт, телекоммуникация и связь, Киевский Институт Связи, Государственный университет информационно-коммуникационных технологий, ГУИКТ, ДУІКТ, Связь, Zosik, KIS-kiev.narod.ru

Урок 5. Комплексное по Електронике 2й семестр

Работы которые были заданы на факультетах АЭС и Телекомуникации Киевского Института Связи дневной формы обучения , решенные и зданы, были проверены и оценены преподавателями, работы которые могут использоваться в виде "козы", схожие варианты заменены. Запрос слать на адресс: KIS-kiev@narod.ru на все письма-запросы получите ответ в течении одной недели.
підприємства.

4. Расчет оконечного каскада усилителя.

В бестрансформаторных усилителях расчет производится для одного плеча, так как процессы, протекающие в плечах – одинаковы.

Для коллекторной цепи справедливо выражение:

, где

- напряжение между коллектором и эмиттером,

- ток коллектора.

Мощность усиленного сигнала в нагрузке определяется согласно формуле:

, при - амплитуда напряжения на нагрузке,

, где

- коэффициент использования напряжения источника питания.

Напряжение источника питания с учетом наличия в оконечных каскадах стабилизирующих резисторов R9=R10, определяется формулой:

.

Полагая, что =0.9, а R9=R10=0.05·R_н=0.2 (Ом) получим:

В.

Следовательно: В.

Амплитуда импульса коллекторного тока описывается формулой:

А.

Мощность, потребляемая от источника питания каждым плечом, определяется выражением:

, где

- постоянная составляющая тока в коллекторной цепи.

А.

Вт.

Полная потребляемая мощность определяется за формулой:

Вт.

КПД каскада:

.

Мощность, рассеиваемая на коллекторах обоих транзисторов, определяется выражением:

2·P_к=P_ок-P_н,

Вт.

Или

, при получим:

Вт.

По параметрам энергетической характеристики каскада можно провести выбор транзисторов V3, V4. выбор проводится по параметрам:

- частотные свойства

кГц.

- максимальному допустимому напряжению коллектор-эмиттер

.

В, В.

- максимальному току коллектора

, А.

- максимальной мощности рассеивания на коллекторе

Выбираем комплиментарные транзисторы КТ 818Б (КТ 819Б)

, , , , , структура p-n-p (n-p-n).

Рисунок 2. Выходные характеристики транзисторов КТ818 (КТ819).